三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高产量

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12月13日消息,据外媒报道,三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到50亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。

三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际,不可能 供应有限,市场对5G设备和网络的需求也在不断上升。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,这些芯片能才能 可用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。

2017年,三星宣告将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在哪些投资进行之前 ,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。

三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得越来越来越多成功,还不足以与哪些巨头竞争。

今年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣告,将现在现在开使大规模生产64层3D NAND芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。